一、光学、显示与发光材料（论文文献综述）
韩鹏博,徐赫,安众福,蔡哲毅,蔡政旭,巢晖,陈彪,陈明,陈禹,池振国,代淑婷,丁丹,董宇平,高志远,管伟江,何自开,胡晶晶,胡蓉,胡毅雄,黄秋忆,康苗苗,李丹霞,李济森,李树珍,李文朗,李振,林新霖,刘骅莹,刘佩颖,娄筱叮,吕超,马东阁,欧翰林,欧阳娟,彭谦,钱骏,秦安军,屈佳敏,石建兵,帅志刚,孙立和,田锐,田文晶,佟斌,汪辉亮,王东,王鹤,王涛,王晓,王誉澄,吴水珠,夏帆,谢育俊,熊凯,徐斌,闫东鹏,杨海波,杨清正,杨志涌,袁丽珍,袁望章,臧双全,曾钫,曾嘉杰,曾卓,张国庆,张晓燕,张学鹏,张艺,张宇凡,张志军,赵娟,赵征,赵子豪,赵祖金,唐本忠[1]（2022）在《聚集诱导发光》文中认为聚集诱导发光（AIE）是唐本忠院士于2001年提出的一个科学概念,是指一类在溶液中不发光或者发光微弱的分子聚集后发光显着增强的现象。高效固态发光的AIE材料有望从根本上解决有机发光材料面临的聚集导致发光猝灭难题,具有重大的实际应用价值。从分子内旋转受限到分子内运动受限,从聚集诱导发光到聚集体科学,AIE领域已经取得了许多原创性的成果。在本综述中,我们从AIE材料的分类、机理、概念衍生、性能、应用和挑战等方面讨论了AIE领域最近取得的显着进展。希望本综述能激发更多关于分子聚集体的研究,并推动材料、化学和生物医学等学科的进一步交叉融合和更大发展。
管中源[2]（2021）在《多元铜基硫族半导体纳米晶的可控制备及光电性能研究》文中提出基于胶体半导体量子点的电致发光二极管在过去几十年得到了飞速发展,其性能指标已经逼近有机电致发光二极管。但是,目前所使用的胶体半导体量子点大部分都含有重金属元素,这不符合环保和商业化要求。因此,发展无镉半导体纳米晶具有非常重要的科学意义。在众多的无镉半导体纳米晶中,多元铜基硫族半导体纳米晶由于其不含重金属元素,原料来源丰富和制备简单等优势成为下一代量子点照明和显示的重要候选者之一。目前,采用全溶液法构筑的基于多元铜基硫族半导体纳米晶的红光电致发光二极管的性能还有待进一步提升。因此,调控多元铜基硫族半导体纳米晶的组分,阐明红色多元铜基硫族半导体纳米晶的形成过程和发光机制,优化红色多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能,是构筑高性能红色多元铜基硫族半导体纳米晶电致发光二极管的有效手段之一。Cu-In-Se体材料的带隙为1.05 e V,是潜在的红光铜基硫族材料的候选者。但是,根据文献报道,目前三元Cu-In-Se纳米晶的发光强度较低,研究者们通常在其表面包覆一层无机壳层或者引入锌元素构筑多元合金材料来优化其发光性能。本文以构筑高性能的多元铜基硫族半导体纳米晶及电致发光二极管为目标,从Cu-In-Zn基半导体纳米晶的可控制备出发,围绕其形成过程、光学性能优化、发光机制和以其作为发光层的电致发光二极管构筑等方面开展研究。主要研究方法及创新点如下:1.以正十二硫醇作为硫源,硒粉作为硒源,采用一步反应法制备了Cu-In-Zn-Se-S纳米晶,通过调控铜前驱体的用量,将其发光范围从560 nm调至670 nm。通过调控硒元素和正十二硫醇的用量优化了其发光性能,其最高光致发光量子产率达到48%。之后,对五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的结构进行了分析,证明了锌离子大量富集在表面形成“类壳层”。在此基础之上,采用热注入法制备了五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶,与一锅法制备的纳米晶的光学性能进行对比,认为铜离子掺杂和锌离子扩散这两个过程对其形成都有贡献。2.从三元Cu-In-S纳米晶出发,通过引入硒元素和锌元素制备出四元Cu-In-Se-S和五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶,并对其形成过程和光学性能进行了系统研究。结果表明Cu-In-S纳米晶是高温下（220 oC）正十二硫醇的裂解释放出的硫原子与体系中的铜和铟离子结合而成。加入硒粉后,四元Cu-In-Se-S纳米晶的成核温度显着降低,同时激子从导带到受主能级的复合几率增加。比较了锌前驱体不同用量时所得纳米晶的成核温度、发光峰位置和半峰宽,结果表明锌前驱体用量越多,对纳米晶成核的抑制作用越明显,从而使得纳米晶的光致发光寿命越长。此外,热重实验结果表明体系中锌离子的释放速度小于其它三种离子的速度。因此,在五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的形成过程中,Cu-In-Se-S的生长和锌离子扩散同时进行,且主要受阳离子扩散反应控制。3.采用一步反应法分别制备了Cu-In-Zn-S和Cu-In-Zn-Se-S纳米晶,元素分析结果表明硒的引入取代了约83%的硫,其余原子的含量和化学环境基本不变。采用第一性原理计算了纳米晶的带隙,明确了硒的引入降低了纳米晶的导带底,而价带顶的位置不变。通过对两种纳米晶的温度依赖的光致发光光谱的发射强度、发射峰能量和半峰宽进行拟合,表明Cu-In-Zn-Se-S纳米晶表面缺陷态的载流子的激活能小于Cu-In-Zn-S纳米晶,同时该五元纳米晶中声子-电子耦合作用更强。此外,两种纳米晶的半峰宽的宽化主要是由于声学声子与激子的耦合导致的。最后,通过变温瞬态光谱和缺陷态密度的计算,验证了多元铜基硫族半导体纳米晶的发光机制。4.采用全溶液法构筑了基于Cu-In-Zn-Se-S的红光电致发光二极管,通过组分工程优化,提高了器件性能。首先研究了硒粉的用量对电致发光二极管器件的性能影响,当前驱体中硒粉的用量为0.8 mmol时,器件的最大外量子效率为1.5%。在此基础上通过优化纳米晶中的铜含量,提升了红色多元铜基硫族半导体纳米晶电致发光二极管的最大外量子效率,其最大值达到了4.2%。综上,本论文对五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的制备进行了系统研究,明确了正十二硫醇提供了硫元素,并对其制备条件进行了优化。在此基础上,系统研究了其形成过程和发光机制,证明锌离子扩散进入Cu-In-Se-S形成五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶。随后通过变温光致发光光谱和第一性原理的计算,阐明了多元铜基硫族半导体纳米晶中的电子-声子耦合作用,验证了其发光机制。最后将红色纳米晶应用于电致发光二极管,通过组分工程优化了器件性能,使器件的最大外量子效率达到了4.2%,达到了同期较高水平。本论文阐明了Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的制备及形成过程和发光机制的一些关键科学问题,为多元铜基硫族半导体纳米晶光学性能的进一步优化和电致发光二极管性能提升提供了参考。本文中有图67幅,表13个,参考文献201篇。
庄逸熙,陈敦榕,解荣军[3]（2021）在《面向光学信息存储应用的深陷阱长余辉发光材料》文中研究表明长余辉发光材料因其独特的延迟发光特性,在夜间安全、生物荧光标记、光学信息存储和光学防伪等领域得到了广泛的应用与研究。长余辉发光材料的应用与其陷阱深度密切相关,其中面向光学信息存储应用的长余辉发光材料需要具备较大的陷阱深度以保证较高的室温存储效率。基于深陷阱长余辉发光材料的光学信息存储技术具有重复擦写性好、背景噪声小、存储容量大、可设计性强等优点,特别在多维光学信息存储技术发展方面具有巨大应用潜力,成为当前新型光电功能材料的研究热点之一。简要概述深陷阱长余辉发光材料在光学信息存储应用领域的研究背景,介绍基于深陷阱载流子俘获和再释放的信息存储和读取原理,梳理近年来深陷阱长余辉发光材料研究的重要突破和最新进展,最后对深陷阱长余辉发光材料未来的发展进行展望。
李雷[4]（2021）在《光-热-力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器和NaCa2GeO4F：Mn2+材料的应力发光性能研究》文中指出皮肤能够感知各种不同的外部刺激,比如压力、温度、针扎等,从而提醒人类及时做出反应并避免受到伤害。受人体皮肤的启发,科学家和工程师们开发出可以感知外部多种刺激的柔性传感器。近年来,柔性传感器在仿生医学、智能机器人、可穿戴设备中扮演着重要的角色。然而,面对现实需求,现有的柔性传感器仍然存在一些局限需要解决。其中一个局限是柔性传感器难以将外界的光-热-力刺激转化为光-电信号双输出。基于发光材料的柔性传感器在光-热-力刺激下通常只能产生光信号响应;基于摩擦纳米发电机结构的柔性传感器在力刺激下只能产生电信号响应。然而,能对光-热-力刺激同时产生光-电信号双响应的柔性传感器鲜有报道,极大阻碍其发展。另一个局限是柔性传感器中产生应力发光信号的光学材料通常难以在长延迟时间和循环机械刺激下保持应力发光信号的可持续性和稳定性。大多数产生应力发光信号的光学材料是陷阱控制型发光材料,在紫外光辐照下,材料中的陷阱俘获电荷载流子,停止辐照后,由于周围环境热的刺激,存储在陷阱中的电荷载流子会被消耗。在机械刺激下,存储在陷阱中的电荷载流子也会被释放出来,从而产生应力发光,这同样会导致存储在陷阱中的电荷载流子的消耗。这些因素将会导致陷阱控制型发光材料在长时间延迟下很难产生应力发光信号以及在连续机械刺激下应力发光信号会快速衰减的问题。针对上述柔性传感器发展中面临的两个局限性问题,一方面,我们对柔性传感器材料的选择、柔性传感器的结构形貌、柔性传感器的制备流程以及柔性传感器的多重信号响应特性进行研究,制作出光-热-力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器。另一方面,我们使用固相合成法制备了应力发光材料NaCa2GeO4F:Mn2+,并对其光致发光、余辉、应力发光、热释发光以及应力发光陷阱组成等方面进行研究,并设计展示了所合成材料在安全加密领域的潜在应用。本论文主要研究结果如下:（1）提出了将多光学功能材料的光学性质与单电极摩擦纳米发电机的电学性质相结合,从而实现光-热-力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器策略。在概念的验证实验中,制作出由包裹着多功能光学颗粒La2Ti2O7:Pr3+的热塑性聚氨酯弹性膜和喷涂银纳米线的尼龙膜所组成的柔性传感器。其中,La2Ti2O7:Pr3+颗粒在光、热和力刺激下能够产生光致变色、光致发光、热释发光和应力发光的光信号输出;整个柔性传感器结构可作为单电极摩擦纳米发电机在力刺激下产生电压、电流的电信号输出。光-热-力刺激下光-电双重信号的重复性实验表明,所制作的柔性传感器具有优异的耐磨性和信号输出稳定性。这些结果有望促进多功能集成光电传感器的开发,为柔性传感器在智能机器人、可穿戴电子设备、假肢设计的发展提供新思路。（2）开发出一种新型可再生应力发光材料NaCa2GeO4F:Mn2+。通过对不同Mn2+浓度激活样品的光致发光、余辉、应力发光以及热释光强度的系统表征,确定0.3 mol%Mn2+为最佳的激活剂浓度,其展现出长延迟时间（长达144小时）的可持续应力发光性能,以及在短期连续机械摩擦（约20个循环）下的稳定应力发光。通过初始上升斜率法对材料陷阱深度的估算结果表明,陷阱深度呈现两种不同深度的陷阱分布,浅陷阱深度为0.506-0.985 e V,深陷阱深度为0.99-1.09e V,并因此推断该材料具有长延迟时间的可持续性应力发光的原因是深陷阱对激发能量的长时间存储能力以及深陷阱中被俘获载流子的缓慢释放速率。通过所开发材料和具有短期衰减应力发光的三种典型材料(Ca3Ti2O7:Pr3+,NaNb O3:Pr3+,Er3+和La2Ti2O7:Pr3+)热释光陷阱分布的对比分析,推断NaCa2GeO4F:Mn2+应力发光的短期相对稳定性是应力发光过程深陷阱向浅陷阱提供载流子补充的结果。此外,所开发NaCa2GeO4F:Mn2+还展现出高图像对比度,与商业化材料Sr Al2O4:Eu2+,Dy3+对比,前者应力发光图像的对比度是后者的135%。这些结果预计将加快储能型应力发光材料的发展,并推动其在信息加密和电子显示方面的实际应用。
余佳豪[5]（2021）在《低维镉系半导体纳米材料的结构调控及光学特性研究》文中进行了进一步梳理低维半导体纳米材料是一种新型的具有优异光学特性的半导体材料,这种由人工合成的尺寸小于百纳米量级的特殊材料在量子限制效应的影响下具有其体材料所不具备的独特物理性质。目前研究最为广泛的低维半导体纳米材料是胶体半导体量子点,其发光波长可调、发光效率高、可溶液处理、低成本制备等优点已经使其在显示领域得到了重要应用。为了进一步实现对低维半导体纳米材料光学特性的调控,设计与优化材料的结构及形貌是两个主要的技术手段。然而目前这些因素对于低维纳米材料光学特性的影响情况的研究还很有限。本论文以具有不同结构及形貌的镉系半导体纳米材料为研究对象,通过多种激光光谱研究方法详细讨论其光学特性的变化,如发光效率、发光稳定性、俄歇复合、光学增益、表面缺陷等。通过研究结果掌握对低维半导体纳米材料光学特性的调控方法,实现对其光学特性的提升并拓展其应用,并为材料的结构设计提供理论与技术支持。根据低维半导体纳米材料的结构与形貌,本论文的具体研究内容可以归纳为以下四个方面:（1）制备了发光效率以及稳定性较好的CdSe/CdS单层核壳量子点,初步研究了其光学特性。随后将其与高分子聚合物混合,通过提拉法实现了量子点掺杂的有源微纳光波导结构。利用单点激发末端接收光致发光信号的方法探讨了偏振激发、纤维直径、衬底折射率对这种结构的波导光学特性的影响效果。通过蓝光发光二极管直接激发量子点掺杂的聚合物微纤维,实现了小体积、结构紧凑的有源光波导结构,拓展了量子点在微型化光电子集成器件中的应用。（2）利用了宽带隙的ZnS材料包覆CdSe/CdS核壳量子点形成了多壳层核壳量子点结构。通过稳态光谱以及变温光致发光光谱研究了ZnS的包覆对量子点光学特性的影响。得益于ZnS的包覆,量子点的发光效率以及稳定性均得到了提升,内部的缺陷数量明显减少。随后通过这种多壳层核壳量子点结合回音壁模式的谐振微腔实现了低阈值的激光发射,探索了量子点在微纳激光器领域的应用。（3）进一步改进量子点的核壳结构,合成了梯度合金壳层的蓝光量子点材料。利用飞秒瞬态吸收光谱对其双激子动力学过程进行研究与分析,通过变功率密度激发测试拟合计算出双激子俄歇复合寿命。由于梯度合金的结构使得界面势垒从突变的情况变为平滑过渡,得到了1268.2±67.5 ps的长双激子俄歇复合寿命。得益于明显抑制的俄歇复合过程,实现了蓝光量子点中超低阈值（6.9μJ/cm2）的放大自发辐射。壳层合金结构对俄歇复合过程具有明显的调控作用,进一步改善了量子点光学增益特性,使其更加适合应用在激光领域。（4）以四个单分子层厚度的二维CdSe纳米片为研究对象,研究了纳米材料的形状对光学特性的影响。通过稳态光谱以及瞬态吸收光谱研究了纳米片的特殊光学性质,确认了其二维片状结构。利用变温光致发光光谱对其低温下双发射峰的起源进行了探究,分析了内部的发光机制,认为低能峰起源于表面态相关的发光。通过高分子聚合物聚二甲基硅氧烷（PDMS）对纳米片的包覆实现了对表面态相关发光峰的抑制。实验结果显示二维的片状结构使得纳米材料表面对光学特性的影响变得更加明显。本论文利用多种光谱测试手段研究了核壳结构以及形状对低维半导体纳米材料的光学特性影响,研究结果对后续进一步改善优化材料的光学特性具有重要意义,并且拓展了低维半导体纳米材料在光电子集成器件以及光学增益介质方面的应用。
史晨[6]（2021）在《锗酸盐多重光响应长余辉材料的制备、响应机理及应用研究》文中提出稀土离子掺杂的长余辉材料是前沿发光材料中的一种,凭借其特殊的发光性能而得到广泛的研究及应用。传统的长余辉材料在受到激发光源照射后可以发射出特定的光色,但是发射光的单一性极大地限制了长余辉材料的应用范围。因此,如何使长余辉材料在不同激发光源的刺激下具有多种光色变化,从而具备独特的光响应性,成为了人们研究的重要方向。因此,基于研发具有多重光响应性能的长余辉材料的愿景,本论文对锗酸盐材料进行Pb2+,Mn2+,Tb3+等元素共掺杂,从而将光响应荧光、长余辉发光、上转换发光、光激励发光等多种光学性能集中于锗酸盐材料中,并对各掺杂元素在锗酸盐材料中的光响应机理进行了分析研究。此外,通过进一步将制备的光响应锗酸盐长余辉材料进行纺丝制备成纤维,探讨了其在防伪领域的应用潜力。主要研究工作内容如下:（1）利用不同长余辉材料的光色性能差异,实现光响应性能。研究三色长余辉材料,CaAl2O4:Eu2+,Nd3+,Sr Al2O4:Eu2+,Dy3+和Ca0.25Sr0.75S:Eu2+的激发发射性能,利用其激发发射性能的差异,制备出具有光响应性的长余辉材料。实现了长余辉材料在不同激发光源刺激下的光色变化。实验进一步探究了长余辉材料种类、配比及激发条件等因素对长余辉材料的发光性能的影响。本章通过结合三种长余辉材料的特性,实现了复合长余辉材料的光响应性,并研究其作为特殊颜料在信息加密及防伪等方面的应用潜力。（2）探究掺杂元素种类对光响应锗酸盐长余辉材料的光色性能影响,实现单一长余辉材料的多重光响应性能。为了在单一长余辉材料中实现多重光响应性,本章以锗酸盐长余辉材料为研究对象,采用高温固相法,对其进行Pb2+,Tb3+,Mn2+掺杂。通过研究掺杂元素种类对锗酸盐长余辉材料发光性能的影响,制备出三种具有光响应性能的锗酸盐长余辉材料,分别为发蓝色余辉光的Na2CaGe2O6:Pb2+,Y3+,发绿色余辉光的Na2CaGe2O6:Pb2+,Tb3+,及发橙红色余辉光的Na2CaGe2O6:Pb2+,Mn2+,Yb3+。对其荧光性能进行分析,结果表明三种材料中均存在两种荧光发光中心。随着激发波长的变化,两种荧光发光中心的相对发射强度不断改变,从而实现三种材料的发射荧光随着激发波长的改变而变化,达到光响应荧光效果。另外,通过对其余辉发光机理研究,结果表明:三种材料的余辉发光仅由一种发光中心完成,产生了一种与荧光光色不同的余辉光色。这种多重光响应长余辉效应,使其可以应用于光传感及防伪材料。（3）研究掺杂含量、烧结温度对光响应锗酸盐长余辉材料的光色性能影响,实现多种光色变化。基于上一章中不同掺杂元素对锗酸盐长余辉材料发光性能的作用机理,对光响应锗酸盐长余辉材料的烧结温度,掺杂剂含量等实验参数进行了进一步的探讨和分析,从而制备出七种具有不同发射光色的光响应锗酸盐长余辉材料。此外,通过掺杂上转换发光离子Er3+和Tm3+将光响应范围扩展到近红外光。成功将光响应荧光、上转换发光、余辉发光、光激励发光等多种光学性能集中于一种锗酸盐材料中。（4）在制备的光响应锗酸盐长余辉材料中,实验以Na2CaGe2O6:Pb2+,Mn2+,Yb3+,Er3+材料研究对象,对各掺杂剂在体系中的作用原理进行研究,分析了Pb2+,Mn2+,Yb3+,Er3+对光响应锗酸盐长余辉材料的光学性能的影响。其中:Pb2+含量的增加会导致蓝色发射光的红移,Mn2+和Yb3+共同影响红色发射光的变化,而Er3+对上转化发射峰起到了决定性作用。另外,通过研究激发条件对材料的发射光谱的影响,得出随着激发时间的增加,荧光强度逐渐增强直至饱和;随着激发孔径的逐渐增加,荧光强度呈现先线性增加,而后逐渐趋于稳定的现象。（5）采用三种方式制备光响应长余辉纤维,探索光响应长余辉纤维的制备方法及应用。第一种方式是通过传统硅酸盐蓝色长余辉材料和罗丹明B黄色荧光染料的复合,从而制备出复合发光纤维。第二种方式将CaAl2O4:Eu2+,Nd3+长余辉材料和Ca0.25Sr0.75S:Eu2+长余辉材料复合,得到具有光响应效果的二元复合纤维。第三种方式是采用Na2CaGe2O6:Pb2+,Mn2+,Yb3+,Er3+光响应锗酸盐长余辉材料,经过溶液纺丝方式,制备成纤维。实验表明,第三种方式制备的纤维不仅具有更好的形貌,且没有色差等问题,在光响应长余辉纤维的制备方面具有更大的应用前景。
依文[7]（2021）在《稀土掺杂钙钛矿型ABO3发光粉的合成与发光性能》文中提出钙钛矿结构氧化物由于其晶体种类繁多,同时可被大量的离子取代,因此,钙钛矿结构发光基质材料在固态照明、电子显示、检测等领域表现出潜在的应用前景。稀土掺杂钙钛矿型氧化物的光学性质也受到了众多研究人员的青睐。本文分别采用溶胶凝胶-燃烧法与水热法,制备了系列稀土掺杂钙钛矿型ABO3(A=Ca,Gd,La,B=Ti,Al,RE=Eu3+,Er3+,Yb3+)发光粉。通过XRD、SEM、荧光光谱和上转换发光光谱等表征手段对所制备发光粉的晶体结构、粉体形貌和发光性能等方面进行研究分析。主要研究内容与分析结果如下:一、溶胶凝胶-燃烧法制备LaAlO3:Eu3+、GdAlO3:RE3+（RE=Eu/Er-Yb）发光粉采用溶胶凝胶-燃烧法制备了系列LaAlO3:Eu3+,GdAlO3:RE3+（RE=Eu/Er-Yb）发光粉。研究了柠檬酸与稀土离子摩尔比例（CMMR）、热处理温度、掺杂离子等对其结构、晶相和发光性能的影响。研究结果表明:适量的柠檬酸用量、较高的热处理温度有利于合成正交结构的GdAlO3:RE3+（RE=Eu/Er-Yb）发光粉和六方结构的LaAlO3:Eu3+发光粉。CMMR为1:1时,GdAlO3:Eu3+发射较强的红光,Eu3+离子所处的格位对称较高。LaAlO3:Eu3+,GdAlO3:Eu3+发光粉的最强发射峰属于Eu3+的5D0→7F2跃迁,但它们的发光模式有所不同。与GdAlO3:Eu3+发光粉相比,LaAlO3:Eu3+发光粉的电荷迁移带向红光波长方向移动,Eu3+离子具有较高的局域对称格位。CMMR为1:1时合成的GdAlO3:Er3+,Yb3+发光粉,在980 nm激发下显示出红、绿两个发射峰,而绿光表现较强的发射。样品计算的色坐标显示:GdAlO3:Eu3+,LaAlO3:Eu3+和GdAlO3:Er3+,Yb3+呈现红,橙红及绿光。二、溶胶凝胶-燃烧法制备Ca1-xGdxTiO3:Eu3+和CaTiO3:Er3+,Yb3+发光粉采用溶胶凝胶-燃烧法制备了Ca1-xGdxTiO3:Eu3+、CaTiO3:Er3+,Yb3+发光粉。研究了柠檬酸与稀土离子摩尔比例（CMMR）、热处理温度、Gd3+离子掺杂对其结构、晶相和发光性能的影响。研究结果表明:适量的柠檬酸用量、较高的热处理温度有利于合成结晶度较好的正交结构的Ca1-xGdxTiO3:Eu3+和CaTiO3:Er3+,Yb3+发光粉。随着Gd3+离子掺杂比例的增加,晶格发生畸变,CaTiO3:Eu3+样品的结晶度降低,并且由CaTiO3结构转变为Gd2Ti2O7结构。800℃热处理制备CaTiO3:Eu3+发光粉主峰的发光强度最高,热处理温度的增加提高样品中Eu3+的格位对称性。随着Gd3+离子掺杂比例的提高,发光强度先增大后减小,15%的Gd3+离子掺杂比例所测得样品的发光强度最强,而Eu3+处于较低的局域对称格位。在980 nm的激发下,CaTiO3:Er3+,Yb3+发光粉的光谱由510～585 nm的绿光发射和630～710 nm的红光发射组成,发光模式基本相同。发光强度随热处理温度提高而增大,样品红光和绿光的相对强度呈现下降的趋势,样品的色坐标移向绿光区。700℃和800℃合成的样品随Gd3+离子掺杂比例增加,发光强度呈现下降的趋势,样品红光和绿光的相对强度呈现增强的趋势,样品的色坐标移向红光区。三、水热法制备CaTiO3:Eu3+发光粉采用水热法制备了CaTiO3:Eu3+发光粉。研究了不同的醇水比例、反应的温度和反应的时间对发光粉晶体结构、发光粉形貌和发光性能的影响。研究结果表明:较高温度和较长时间的水热反应,有利于合成正交结构的CaTiO3:Eu3+发光粉。适当的醇水比例促进晶体结构的完整发育,样品形貌趋向于正四棱柱状。随着醇水比例的增加,样品的激发强度和发射强度均逐渐提高。较高的醇水比例条件下,样品晶体发育完整,晶体缺陷降低,为Eu3+离子提供较好的晶体场,使得Eu3+的局域环境利于能量传递,有利于激发光的吸收,从而提高样品发光强度。根据发射光谱计算的5D0→7F2与5D0→7F1的相对发射强度比值说明:样品的Eu3+离子的局域环境与醇水比例有关。
徐彦乔[8]（2021）在《离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究》文中提出半导体纳米晶由于具有独特的光电性质,在发光二极管、太阳能电池、光电探测、生物成像等领域引起了广泛的关注。目前,镉基纳米晶已率先实现了商业应用,但是仍存在制备工艺复杂、制备成本较高等问题,成为了该类材料大规模应用道路上的绊脚石。因此,发展新型高效、低成本的半导体纳米晶及其制备技术具有重要意义。本文利用离子液体特殊的物理化学性质,以不同类型的离子液体为出发点,探索了其在多元和钙钛矿纳米晶合成过程中的作用机理,借助离子液体与配体的协同作用实现对纳米晶生长动力学和发光动力学的有效调控。主要开展了以下四方面的工作:（1）针对水相合成Cu-In-Zn-S（CIZS）多元纳米晶存在反应时间较长、量子产率偏低的突出问题,发展了一种离子液体辅助水热法快速制备CIZS纳米晶的新途径。利用含氟离子液体1-甲基咪唑四氟硼酸盐（[Mim]BF4）在反应过程中形成的F-对纳米晶的表面悬键进行刻蚀,同时结合宽带隙半导体材料ZnS的表面包覆,充分钝化纳米晶的表面缺陷,将其荧光量子产率由6.2%提高至31.2%。此外,离子液体较低的表面张力有效地提高了纳米晶的瞬间成核率,反应时间由5 h缩短至1 h。随后,将CIZS/ZnS纳米晶与聚乙烯吡咯烷酮（PVP）基质复合,制备了CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉,并结合Lu3Al5O12:Ce3+荧光粉与蓝光芯片组装成白光LED,器件的发光效率（LE）高达90.11 lm/W,显色指数（CRI）和色温（CCT）分别为87.2和4977 K,说明CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉在固态照明领域极具应用潜力。（2）为了获得兼具制备成本低廉及荧光性能优异的纳米晶材料,采用离子液体辅助过饱和重结晶法制备了CsPbBr3纳米晶。通过引入含溴离子液体1-丁基-3-甲基咪唑溴盐（[Bmim]Br）改善纳米晶的表面性质,提高了纳米晶表面Br元素的含量,纳米晶的表面由缺Br态向富Br态转变,量子产率由78.73%增加至91.04%。此外,[Bmim]Br有助于调控CsPbBr3纳米晶的形貌及晶粒尺寸,提高了纳米晶的粒径均匀性。更为重要的是,纳米晶的光、储存稳定性也得到了显着的提高,在室温下存储91天或在紫外灯下连续照射24 h后均能保持80%以上的初始荧光强度。最后,通过阴离子交换反应获得了一系列不同组分的CsPbX3纳米晶,其发射峰在462～665 nm范围内连续可调,色域可达北美国家电视标准委员会（NTSC）标准的129.65%,为高质量钙钛矿纳米晶的制备及其光电应用提供了参考。（3）针对钙钛矿纳米晶因存在表面Pb缺陷而导致荧光性能及稳定性降低的问题,提出了一种简单高效的含氟酸根离子液体原位钝化表面缺陷的策略。通过在纳米晶的合成过程中引入含氟酸根离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐（[Bmim]BF4）,分别利用离子液体的阴、阳离子的协同作用原位消除纳米晶表面富余的Pb0和表面悬键,充分钝化纳米晶的表面缺陷,其荧光量子产率可由63.82%提升至94.63%。此外,研究结果进一步证实了其它类型的含氟酸根离子液体均可有效提升纳米晶的荧光性能,表明该原位钝化策略具有普适性。吸附在纳米晶表面的[Bmim]+为纳米晶提供了疏水性的保护壳层,因此纳米晶的储存、光、水、热稳定性均得到了显着的提升。将制得的纳米晶应用于白光LED中,器件的LE高达100.07lm/W,色域覆盖范围可达NTSC标准的140.64%,说明CsPbBr3纳米晶在背光显示领域极具应用潜力。（4）为进一步提升CsPbBr3纳米晶的稳定性,发展了一种简单快速制备CsPbBr3@SiO2纳米晶的新途径。利用离子液体[Bmim]BF4具有较大的极性和一定的吸湿性捕捉空气中的水分,促进APTES快速水解形成SiO2层包覆于CsPbBr3纳米晶的表面,SiO2的最佳包覆时间由10 min显着缩短至20 s。此外,离子液体疏水性的有机阳离子吸附在纳米晶表面,有效避免了纳米晶在包覆过程中因被水或醇侵蚀而造成荧光性能的衰减。因此,CsPbBr3@SiO2纳米晶的稳定性得到了显着的提高,保存120天后,仍可维持96.12%的初始荧光强度。随后,制备了一系列不同组分的CsPbX3@SiO2纳米晶,其发光峰的中心位置可在421.2～651.6 nm范围内调谐,色域可达NTSC标准的143.57%。由于SiO2比CsPbX3纳米晶具有更高的导带底和更低的价带顶,因此可将电子与空穴限制在CsPbX3内,钝化了纳米晶的表面态,从而提升了CsPbX3纳米晶的荧光性能。最后,将CsPbBr3@SiO2纳米晶与CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉结合组装成白光LED,器件的CRI高达90.5,CCT为4715 K,LE为41.57 lm/W。本工作为快速可控制备CsPbX3@SiO2纳米晶及其光电应用奠定基础。
龚果[9]（2021）在《核壳型镧系掺杂氟化钠荧光纳米材料的制备及喷墨打印》文中研究说明近年来,荧光防伪技术被广泛应用于食品和商品的外包装,用以抵制假冒伪劣产品,保障消费者权益。在过去的几十年中,基于荧光材料特殊性质的荧光防伪技术层出不穷,荧光防伪图案的输出方式也是日新月异。在众多荧光材料中,镧系稀土掺杂氟化物纳米材料由于其具有声子能量小、透光率高、稳定性好等特点,在荧光防伪领域展现了其显着优势。喷墨打印构建荧光防伪图案具有简单高效、易规模化制备、成本低等优点,也逐渐成为荧光图案输出的重要方式。本论文旨在开发先进荧光防伪技术,通过设计合成具有优异且独特荧光性质的镧系稀土掺杂氟化物纳米材料,并利用喷墨打印实现高精度、高分辨率荧光防伪图案的输出。具体地讲,本论文研究包括以下四个部分:（1）镧系稀土掺杂Na YF4:Ln3+上转换纳米颗粒的合成及喷墨打印构建荧光防伪图案以镧系稀土离子油酸配合物为前驱体,通过热分解方法合成单分散Na YF4:Ln3+上转换纳米颗粒（UCNPs）。控制掺杂稀土离子的种类(Y3+、Yb3+、Er3+以及Tm3+)及比例,可实现三原色（红、绿、蓝）荧光UCNPs的合成。利用X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对合成的UCNPs进行了表征。结果表明,成功制备的UCNPs均为纯六方相Na YF4纳米晶,且粒径均匀,平均直径约在20 nm左右。利用聚丙烯酸（PAA）对合成的UCNPs进行改性,得到亲水性UCNPs。以合成的亲水性三原色UCNPs为荧光填料,通过流延法成功制备出了聚乙烯醇（PVA）荧光薄膜。同时,以合成的亲水性三原色UCNPs为荧光填料配制荧光油墨,采用印章及喷墨打印方式,在纸基底上构建出了各种荧光防伪图案。该技术预期在防伪包装领域具有潜在的应用前景。（2）荧光增强Na YF4:Ln3+@Na YF4:Yb3+核壳纳米颗粒的合成及喷墨打印镧系稀土掺杂Na YF4上转换纳米材料应用于荧光防伪领域其荧光强度弱仍是亟需解决的问题。针对这一不足,设计合成出了上转换荧光增强的活性Na YF4:Yb3+壳包裹Na YF4:Ln3+核壳纳米颗粒（CASNs）,包括(Na YF4:Er3+/Tm3+@Na YF4:Yb3+、Na YF4:Yb3+/Er3+@Na YF4:Yb3+以及Na YF4:Yb3+/Tm3+@Na YF4:Yb3+,分别命名为CASNs-R、CASNs-G以及CASNs-B)。通过XRD、TEM以及X射线光电子能谱（XPS）对合成的CASNs进行了表征,证明成功制备出了形貌规整、荧光强度高的核壳纳米颗粒。以CASNs-G为例,CASNs-G的荧光强度提高至Na YF4:Yb3+/Er3+核纳米颗粒的21倍。研究表明,CASNs荧光增强机制主要是由于:一方面,Na YF4:Yb3+活性壳的包裹降低了Na YF4:Ln3+核纳米颗粒的表面荧光淬灭的几率;另一方面,活性壳中敏化剂Yb3+的加入有利于颗粒吸收外界的能量并传递至Na YF4:Ln3+核纳米颗粒中,提高发光效率。将合成的荧光增强三原色CASNs通过表面亲水改性,并配制成荧光油墨,利用喷墨打印技术,实现高精度、高荧光强度、多色彩复合荧光防伪图案的输出。本研究工作有望推进镧系稀土掺杂Na YF4上转换纳米材料在荧光防伪领域中的应用。（3）哑铃状镧系稀土掺杂Na YF4:Ln3+@Na Gd F4:Ln3+核壳纳米颗粒的合成及其双模式荧光防伪通过纳米尺度下的“手术”实现荧光性能独特镧系稀土掺杂氟化物纳米材料的合成,并探讨其在荧光防伪中的应用。为此,通过两步油酸调介下的热分解法,在Na YF4:Ln3+上转换纳米颗粒的表面外延生长Na Gd F4:Ln3+下转换荧光壳层,合成出了具有上/下双模式荧光哑铃结构的单分散Na YF4:Ln3+@Na Gd F4:Ln3+核壳纳米颗粒（CSNPs）。研究表明,Na Gd F4:Ln3+壳层在Na YF4:Ln3+纳米颗粒表面的增长符合奥式熟化机制。由于β-Na Gd F4和β-Na YF4纳米晶的晶格不完全匹配,导致Na Gd F4:Ln3+壳层优先在Na YF4:Ln3+纳米颗粒的两端生长,并最终形成哑铃状结构。通过调节核以及壳层中所掺杂稀土离子的种类及比例,可实现CSNPs上/下转换荧光颜色的调控,从而调制出多种双模式荧光CSNPs。利用酸洗涤去除CSNPs表面油酸,得到亲水性CSNPs,并将其分散在水/乙醇/甘油混合溶剂中,配制水性荧光油墨。利用喷墨打印技术,在纸基底上,如A4纸、信封以及贺卡,构建荧光图案。该图案在自然光照下肉眼不可见,而在980 nm激光和254 nm紫外光的分别照射下,各自呈现出不同的色彩精美且清晰的荧光防伪图案。该双模式荧光防伪技术具有简单、易操作等优点,为先进荧光防伪技术的开发提供了新思路。（4）Na YF4:Ln3+@可逆光致变色聚合物核壳纳米颗粒的合成及多模式荧光防伪光致变色化合物由于其独特的结构异构化而产生的对外界的刺激的响应,在光信息存储,生物探针,分子开关以及荧光防伪等领域有广阔的应用前景。本部分研究通过将螺吡喃类光致变色化合物接枝在上转换纳米颗粒的表面,制备出同时具有双模式荧光及可逆光致变色特性的荧光材料,并通过喷墨打印技术,探讨其在先进荧光防伪领域中的应用。为此,通过多步壳层修饰,在Na YF4:Ln3+上转换纳米颗粒的外层包裹或接枝多个功能性壳层,得到可逆光致变色的CSNPs@p（GMA-co-SPMA）聚合物核壳纳米颗粒。通过FTIR、TGA以及TEM对合成的CSNPs@p（GMA-co-SPMA）进行了表征,证明成功制备出了双模式荧光及可逆光致变色的多壳层纳米颗粒。将合成的CSNPs@p（GMA-co-SPMA）颗粒分散于DMF溶剂中,制备荧光油墨,并通过喷墨打印在纸张上构筑先进荧光防伪图案。该图案具有双模式荧光,即在980 nm激光照射下显示出绿色荧光,而在365 nm紫外灯照射下显示出红色的荧光,并且在移除紫外灯后,该图案并不会马上消失,而是在自然光下显示出紫色的图案。这种CSNPs@p（GMA-co-SPMA）形成变色防伪图案具有更好的隐蔽性和多重响应性,复制难度较大,因而其防伪领域具有广阔的应用前景。
杨森[10]（2021）在《Na和Bi掺杂的无机双钙钛矿光致发光和温度传感特性》文中研究表明近年来,有机-无机杂化铅卤钙钛矿由于具有发光可调谐、光吸收系数大、量子产率高和载流子迁移速率快等优异的特性而被广泛地研究。尽管部分钙钛矿材料在光电器件方面已经取得了重要进展,但是铅元素的毒性和铅基钙钛矿的不稳定性始终是阻碍钙钛矿商业化应用的重要问题。科研工作者希望通过掺杂或包覆等手段来改善铅卤钙钛矿的性能。基于钙钛矿的基本结构,科研工作者们已经合成多种具有双钙钛矿结构的化合物。无铅双钙钛矿材料由于具有良好的热稳定性以及不含Pb元素而被广泛研究。无铅双钙钛矿Cs2Ag In Cl6具有直接带隙、载流子寿命长和无毒无害等特性而受到了持续的关注。Cs2Ag In Cl6内在的宇称禁带跃迁导致它的发光量子产率较低限制了它的光电学应用。但是这种双钙钛矿由于Ag和In的八面体配位,以及Ag和In易被其他元素取代的特性使得很适合做不同掺杂材料的宿体。通过不同元素的掺杂可以打破宇称禁带跃迁,从而修改带隙,改善发光性能。这类无铅双钙钛矿材料的研究对改善发光、扩展应用具有重要意义。我们用溶剂热法制备一系列无铅双钙钛矿材料,并对这些样品进行了基本结构和光学表征,重点研究了它们的发光机制。我们主要以Cs2Ag0.6Na0.4In Cl6微晶、Yb/Bi共掺的Cs2Ag0.6Na0.4In Cl6微晶、Er/Bi共掺的Cs2Ag0.6Na0.4In Cl6微晶为研究对象研究稀土掺杂双钙钛矿材料的光致发光及温度传感特性。本论文主要完成了以下三个方面的研究工作:1.我们通过变温和变功率等手段去研究不同Na含量、微量Bi掺杂Cs2AgxNa1-xIn Cl6微晶的稳态光谱和时间分辨光谱。我们拟合实验样品的发光强度、半高全宽（fwhm）随温度的变化从而得到激子结合能、Huang-Rhys因子（S）等参数对双钙钛矿材料的发光机制进行研究。时间分辨光谱和光致发光光谱的分析表明Cs2AgxNa1-xIn Cl6微晶的宽谱带发光来源于自陷态发光（Self-trapped excitons,STEs）。2.Cs2Ag0.6Na0.4In Cl6微晶具有宽光谱和暖白光发射。我们在较高光致发光量子产率（photoluminescence quantum yield,PLQY）的Cs2Ag0.6Na0.4In0.9Bi0.1Cl6（CANIBC）微晶白光基础上引入Yb3+发光,在405 nm连续激光器照射下可以同时观测到可见光和近红外发光,通过时间分辨光谱分析证明这种发光机制是STEs发光到Yb3+发光的直接能量传递机制。然后依据STEs发光和Yb3+发光在变温条件下的不同荧光猝灭速率,我们研究了一个基于荧光强度比（Fluorescence intensity ratio,FIR）的温度传感特性,根据不同的峰位强度比拟合可以获得绝对灵敏度（Sa）和相对灵敏度（Sr）大小。根据FIR（985/635）我们可以获得最大的Sa和Sr可以达到0.113 K-1和1.66%K-1。这些良好的温度传感性能说明这种材料适用于300-460 K温度传感。3.Er3+具有丰富的可见光到红外光的跃迁能级,我们通过将Er3+引入CANIBC微晶,实现双钙钛矿STEs和Er3+的稀土2H11/2（530 nm）,4S3/2（555 nm）,4F9/2（660nm）,4I9/2（800 nm）的多重发光。同理,依据Er3+发光和STEs发光的不同热猝灭速率,通过拟合FIR、Sa和Sr的参数研究了530/555、530/590、530/660的温度传感特性。与Er3+自身的FIR（530/555,530/660）的温度灵敏度相比,基于Er3+（530）和STEs发光的FIR相应温度灵敏度得到了很大改善,基于530/590的温度传感最大的Sa和Sr可以分别达到0.098 K-1和1.69%K-1,具有良好的温度传感应用前景。
二、光学、显示与发光材料（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、光学、显示与发光材料（论文提纲范文）
（1）聚集诱导发光（论文提纲范文）
| Contents |
| 1 引言 |
| 2 聚集诱导发光材料 |
| 2.1 AIE小分子 |
| 2.1.1 9,10-二苯乙烯基蒽 |
| 2.1.1.1 DSA材料 |
| (1)有机小分子 |
| (2)齐聚物 |
| (3)树枝状分子 |
| (4)聚合物 |
| 2.1.1.2 DSA聚集态结构与功能 |
| (1)高效发光晶体 |
| (2)聚集态结构的动态调控 |
| 2.1.2 四苯基苯 |
| 2.1.3 四苯基吡嗪 |
| 2.1.3.1 TPP的合成 |
| 2.1.3.2 TPP衍生物的应用 |
| 2.1.4 多芳基并吡咯 |
| 2.1.4.1 分子结构-光物理性能关系 |
| 2.1.4.2 应用 |
| 2.2 AIE共晶体系 |
| 2.2.1 AIE共晶 |
| 2.2.1.1 氢键/卤键AIE共晶 |
| 2.2.1.2 电荷转移AIE共晶 |
| 2.2.1.3 其他类型AIE共晶 |
| 2.2.2 AIE共晶的应用 |
| 2.2.2.1 药物传输和释放 |
| 2.2.2.2 生物成像 |
| 2.2.2.3 光学传感 |
| 2.3 AIE聚合物 |
| 2.3.1 生物成像 |
| 2.3.1.1 选择性成像 |
| 2.3.1.2 响应性成像 |
| 2.3.2 生物诊疗 |
| 2.3.2.1 光动力治疗 |
| 2.3.2.2 原位诊疗 |
| 2.3.2.3 药物/核酸递送 |
| 2.4 AIE金属有机配合物 |
| 2.4.1 具有聚集诱导发光的钌(Ⅱ)和铱(Ⅲ)配合物 |
| 2.4.1.1 AIE金属配合物发光机理及其设计 |
| 2.4.1.2 AIE钌(Ⅱ)配合物 |
| 2.4.1.3 AIE铱(Ⅲ)配合物 |
| 2.4.2 货币金属团簇 |
| 2.4.3 具有AIE性质的超分子金属有机配合物 |
| 2.4.3.1 具有AIE性质的金属有机大环 |
| 2.4.3.2 具有AIE性质的金属有机笼 |
| 2.4.3.3 具有AIE性质的金属有机框架 |
| 3 AIE机理 |
| 3.1 AIE的微观机制 |
| 3.1 J-聚集体发光机理 |
| 3.2 分子内运动受限机理 |
| 3.3 无辐射通道受阻机理 |
| 3.4 聚集诱导辐射跃迁机理 |
| 4 AIE概念的衍生 |
| 4.1 有机室温磷光 |
| 4.1.1 结晶诱导磷光和聚集诱导磷光 |
| 4.1.2 有机室温磷光体系 |
| 4.1.3 有机室温磷光三线态调控 |
| 4.1.3.1 有机室温磷光寿命调控 |
| 4.1.3.2 有机室温磷光的效率调控 |
| 4.1.3.3 有机室温磷光的颜色调控 |
| 4.1.3.4 有机室温磷光的激发波长调控 |
| 4.1.3.5 有机室温磷光性质的动态调控 |
| 4.1.3.6 主客体掺杂调控有机室温磷光 |
| 4.1.4 有机室温磷光材料的应用 |
| 4.1.4.1 OLED |
| 4.1.4.2 生物成像与治疗 |
| 4.1.4.3 挥发性有机物传感 |
| 4.1.4.4 信息加密 |
| 4.2 非典型发光 |
| 4.2.1 非典型发光化合物的分类 |
| 4.2.1.1 非典型发光聚合物 |
| 4.2.1.2 非典型发光小分子 |
| 4.2.2 非典型发光化合物的发光机理 |
| 4.2.3 非典型发光化合物的光物理性质 |
| 4.2.4 非典型发光化合物的光物理性质的调节 |
| 4.2.4.1 发光波长调节 |
| 4.2.4.2 发光强度或量子效率调节 |
| 5 材料的刺激响应特性 |
| 5.1 力致发光变色 |
| 5.1.1 小分子力致发光变色材料 |
| 5.1.2 聚合物力致发光变色材料 |
| 5.2 力致发光 |
| 5.2.1 力致荧光 |
| 5.2.2 同质多晶 |
| 5.2.3 力致磷光 |
| 5.2.4 掺杂型ML |
| 5.2.5 力致发光HOF材料 |
| 5.3 一些其他的刺激响应特性 |
| 6 AIE材料的应用 |
| 6.1 AIE在复合材料无机相分散度评价中的应用 |
| 6.1.1 无机相分散度三维荧光成像及定性评价 |
| 6.1.2 无机相分散度三维荧光成像及定量评价 |
| 6.2 AIE材料用于有机电致发光二极管 |
| 6.2.1 基于AIE材料的OLEDs |
| 6.2.2 高激子利用率的AIE-OLEDs |
| (1)基于AIE-TTA材料的OLEDs |
| (2)基于AIE-HLCT材料的OLEDs |
| (3)基于AIE-TADF材料的OLEDs |
| (4)基于AIE-Ph材料的OLEDs |
| 6.2.3 基于AIE材料的白光OLEDs |
| 6.3 AIE材料在生物领域的应用 |
| 6.3.1 AIE荧光探针的设计及其用于生物检测与成像 |
| 6.3.1.1 基于模块化多肽的AIE探针 |
| (1)作为成像示踪制剂 |
| (2)作为成像治疗制剂 |
| 6.3.1.2 基于半菁的AIE探针对生物标志物的可激活式检测与成像 |
| (1)具有AIE特性的半菁类可激活式探针的结构设计 |
| (2)具有AIE特性的半菁类可激活式探针对生物标志物的检测与成像 |
| (a) 对酶类生物标志物的检测与成像 |
| (b) 对生物微环境pH的检测 |
| (c) 对小分子生物标志物的检测 |
| 6.3.1.3 NIR二区荧光探针 |
| 6.3.1.4 AIE NIR二区三光子成像 |
| 6.3.1.5 AIE光捕获荧光探针 |
| 6.3.2 AIE材料在生物诊疗方面的应用 |
| 6.3.2.1 调控AIE材料的荧光性能用于成像肿瘤切除 |
| 6.3.2.2 光动力治疗 |
| 6.3.2.3 光热治疗 |
| (1)“分子内运动诱导光热(Intramolecular motion-induced photothermy, iMIPT)”机制 |
| (2)iMIPT分子在生物医学领域的应用 |
| (3)iMIPT分子在生物传感中的应用 |
| 6.3.2.4 AIE材料用于多模态光学诊疗 |
| (1)无机材料辅助的多模态光学诊疗 |
| (2)基于单种AIE分子的多模态光学诊疗 |
| 7 总结与展望 |
（2）多元铜基硫族半导体纳米晶的可控制备及光电性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 序言 |
| 1 前言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 多元铜基硫族半导体纳米晶的制备方法 |
| 1.2.1 三元铜基硫族半导体纳米晶的制备 |
| 1.2.2 四元铜基硫族半导体纳米晶的制备 |
| 1.3 多元铜基硫族半导体纳米晶的发光机制 |
| 1.3.1 三元铜基半导体纳米晶的发光机制 |
| 1.3.2 四元铜基半导体纳米晶的发光机制 |
| 1.4 多元铜基硫族半导体纳米晶形成过程理论 |
| 1.4.1 锌离子扩散理论 |
| 1.4.2 铜离子掺杂理论 |
| 1.5 基于多元铜基硫族半导体纳米晶的电致发光二极管研制 |
| 1.5.1 蓝绿光铜基电致发光二极管的研制 |
| 1.5.2 黄光铜基电致发光二极管的研制 |
| 1.5.3 红光铜基电致发光二极管的研制 |
| 1.6 本论文的研究内容和意义 |
| 2 Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的可控制备及发光性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.2.3 表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 一步反应法制备五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶 |
| 2.3.2 Cu-In-Zn-Se-S纳米晶制备条件优化 |
| 2.3.3 热注入法制备五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的形成过程研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.2.3 表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 三元Cu-In-S纳米晶形成过程研究 |
| 3.3.2 四元Cu-In-Se-S纳米晶形成过程研究 |
| 3.3.3 五元Cu-In-Zn-Se-S纳米晶形成过程研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 阴离子替换对铜基硫族半导体纳米晶发光机制的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验与表征 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 实验步骤 |
| 4.2.3 表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 阴离子替换对Cu-In-Zn基纳米晶结构和光学性质的影响 |
| 4.3.2 阴离子替换对Cu-In-Zn基纳米晶发光机制的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 基于Cu-In-Zn-Se-S纳米晶的红光电致发光二极管性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验材料 |
| 5.2.2 实验方法 |
| 5.2.3 表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 硒粉用量对器件性能的影响 |
| 5.3.2 铜前驱体用量对器件性能的影响 |
| 5.4 结论 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（3）面向光学信息存储应用的深陷阱长余辉发光材料（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 深陷阱长余辉发光材料的发光机理 |
| 3 深陷阱长余辉发光材料 |
| 3.1 卤化物或卤氧化物 |
| 3.2 硫化物 |
| 3.3 氧化物 |
| 3.3.1 一元阳离子氧化物 |
| 3.3.2 硅酸盐/锗酸盐/锡酸盐 |
| 3.3.3 铝酸盐/镓酸盐类 |
| 3.3.4 钛酸盐/锆酸盐 |
| 3.3.5 氧化物玻璃 |
| 3.4 氮化物或氮氧化物 |
| 4 展望 |
（4）光-热-力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器和NaCa2GeO4F：Mn2+材料的应力发光性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多功能光学材料研究概况 |
| 1.1.1 光致变色材料 |
| 1.1.2 光致发光材料 |
| 1.1.3 热释发光材料 |
| 1.1.4 应力发光材料 |
| 1.1.5 光-热-力刺激下可输出光信号的光学材料 |
| 1.2 摩擦纳米发电机研究概况 |
| 1.2.1 摩擦纳米发电机的工作原理 |
| 1.2.2 摩擦纳米发电机的分类 |
| 1.2.3 摩擦纳米发电机的应用 |
| 1.3 光和力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 |
| 第二章 柔性传感器和应力发光材料的制备过程和测试方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.2 测试仪器及表征 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 |
| 2.2.4 紫外-可见分光光度计 |
| 2.2.5 荧光分光光度计 |
| 2.2.6 数字示波器 |
| 第三章 光-热-力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备及性能表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Mn~(2+)激活NaCa_2GeO_4F的应力发光 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 制备工艺 |
| 4.2.2 复合材料的制备 |
| 4.2.3 结构表征 |
| 4.2.4 光学表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（5）低维镉系半导体纳米材料的结构调控及光学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究目的与意义 |
| 1.2 低维半导体纳米材料的光学特性 |
| 1.2.1 胶体半导体量子点的光学特性 |
| 1.2.2 核壳异质结构对光学特性的影响 |
| 1.2.3 低维纳米材料的形貌对光学特性的影响 |
| 1.2.4 低维半导体纳米材料光学增益特性 |
| 1.3 低维半导体纳米材料的应用 |
| 1.3.1 发光二极管应用 |
| 1.3.2 微纳激光器应用 |
| 1.3.3 光电转化及光催化应用 |
| 1.4 研究现状分析 |
| 1.5 本文的主要研究内容 |
| 第2章 单层核壳量子点发光及波导性质研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 CdSe/CdS核壳量子点的制备与表征 |
| 2.3 量子点掺杂的聚合物微纤维的制备 |
| 2.4 量子点掺杂聚合物微纤维的波导光学特性研究 |
| 2.4.1 聚合物微纤维的波导模型 |
| 2.4.2 量子点聚合物微纤维的波导性质研究 |
| 2.5 LED激发的量子点有源光波导结构 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 多层核壳量子点光学特性及激射研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 ZnS包覆CdSe/CdS多层核壳量子点的制备与表征 |
| 3.3 CdSe/CdS/ZnS多层核壳量子点的光学特性研究 |
| 3.3.1 变温光致发光光谱研究 |
| 3.3.2 光致发光稳定性研究 |
| 3.4 CdSe/CdS/ZnS激光应用研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 梯度合金核壳量子点光学增益特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 梯度合金核壳量子点的制备与表征 |
| 4.2.1 三种核壳结构量子点的制备 |
| 4.2.2 三种核壳结构量子点的表征 |
| 4.3 俄歇复合过程研究 |
| 4.3.1 量子点中的俄歇复合过程 |
| 4.3.2 量子点中平均激子数量的确定 |
| 4.3.3 双激子俄歇复合寿命的计算 |
| 4.4 放大自发辐射研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 二维硒化镉纳米片表面相关光学特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 CdSe纳米片的制备与表征 |
| 5.2.1 CdSe纳米片的制备 |
| 5.2.2 CdSe纳米片的表征 |
| 5.3 CdSe纳米片的光学特性研究 |
| 5.3.1 CdSe纳米片的变温光谱研究 |
| 5.3.2 CdSe纳米片的低温光谱研究 |
| 5.3.3 有机物包覆钝化的低温光谱研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（6）锗酸盐多重光响应长余辉材料的制备、响应机理及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 稀土长余辉发光材料概述及研究进展 |
| 1.1.1 稀土长余辉发光材料的概述 |
| 1.1.2 延长余辉时间和增加余辉强度的研究进展 |
| 1.1.3 多色余辉研究进展 |
| 1.1.4 更多发光效果 |
| 1.1.5 更多的应用 |
| 1.2 稀土长余辉纤维的概述及研究现状 |
| 1.2.1 稀土长余辉纤维的概述 |
| 1.2.2 稀土长余辉纤维的研究进展 |
| 1.3 稀土长余辉材料的发光机理 |
| 1.4 光响应发光材料概述 |
| 1.5 课题的研究意义、目的和主要内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 三色长余辉材料的发光特性及光响应研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料及器材 |
| 2.2.2 三色长余辉材料的制备 |
| 2.2.3 测试及表征方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 微观形貌及物相结构分析 |
| 2.3.2 发光光谱及光色分析 |
| 2.3.3 余辉性能分析 |
| 2.3.4 动态光色分析 |
| 2.3.5 动态余辉亮度分析 |
| 2.3.6 光响应性能分析 |
| 2.3.7 光响应长余辉材料的应用 |
| 2.3.8 能量转移机理研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Pb~(2+),Tb~(3+),Mn~(2+)掺杂锗酸盐光响应长余辉材料的制备及光色性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料及器材 |
| 3.2.2 光响应锗酸盐长余辉材料的制备 |
| 3.2.3 防伪图案的制备 |
| 3.2.4 测试及表征方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 微观结构分析 |
| 3.3.2 物相结构分析 |
| 3.3.3 激发光谱分析 |
| 3.3.4 发射光谱分析 |
| 3.3.5 量子产率分析 |
| 3.3.6 余辉性能分析 |
| 3.3.7 余辉发光机理分析 |
| 3.3.8 光响应性能分析 |
| 3.3.9 光响应性能应用 |
| 3.3.10 耐久性分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 掺杂含量、烧结温度及上转换离子对光响应锗酸盐材料的光色影响研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 锗酸盐长余辉材料的制备 |
| 4.2.3 测试及表征方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 微观结构分析 |
| 4.3.2 物相结构分析 |
| 4.3.3 三维荧光光谱分析 |
| 4.3.4 量子产率分析 |
| 4.3.5 余辉分析 |
| 4.3.6 上转换发光分析 |
| 4.3.7 光激励发光分析 |
| 4.3.8 多重光响应分析 |
| 4.3.9 样品耐久性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 Pb~(2+),Mn~(2+) ,Yb~(3+)在锗酸盐材料中的作用及光响应机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验材料及器材 |
| 5.2.2 光响应锗酸盐长余辉材料的制备 |
| 5.2.3 测试及表征方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 微观形貌及物象结构分析 |
| 5.3.2 三维发射及激发条件分析 |
| 5.3.3 Pb~(2+)对发射光谱的影响 |
| 5.3.4 Mn~(2+)对发射光谱的影响 |
| 5.3.5 Yb~(3+)对发射光谱的影响 |
| 5.3.6 980nm激发强度对上转换光的影响 |
| 5.3.7 光响应机理分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 光响应锗酸盐长余辉材料在纤维及防伪图案中的应用 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 实验材料及器材 |
| 6.2.2 三种光响应长余辉纤维的制备 |
| 6.2.3 防伪图案的制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 外观形貌分析 |
| 6.3.2 物象结构分析 |
| 6.3.3 激发发射光谱分析 |
| 6.3.4 余辉性能分析 |
| 6.3.5 光响应长余辉纤维的研究 |
| 6.3.6 防伪图案的研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 主要结论与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 不足与展望 |
| 致谢 |
| 附录:作者在攻读博士学位期间成果 |
（7）稀土掺杂钙钛矿型ABO3发光粉的合成与发光性能（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 发光材料 |
| 1.1.1 发光材料的分类 |
| 1.1.2 发光材料的发光过程 |
| 1.2 稀土发光材料 |
| 1.2.1 稀土元素的组成 |
| 1.2.2 稀土离子La~(3+)、Gd~(3+)、Eu~(3+)、Yb~(3+)和Er~(3+)介绍 |
| 1.2.3 稀土发光材料机理 |
| 1.2.4 稀土上转换发光材料机理 |
| 1.2.5 稀土发光材料基质 |
| 1.2.6 稀土发光材料的应用 |
| 1.3 稀土发光材料的合成方法 |
| 1.3.1 高温固相法 |
| 1.3.2 沉淀法 |
| 1.3.3 溶胶-凝胶法 |
| 1.3.4 水热法 |
| 1.3.5 燃烧法 |
| 1.4 钙钛矿型发光材料 |
| 1.4.1 钙钛矿结构材料简介 |
| 1.4.2 钙钛矿结构的特点 |
| 1.4.3 钙钛矿结构的发光材料 |
| 1.4.4 钙钛矿型复合氧化物发光粉的研究现状 |
| 1.5 论文研究目的与研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验仪器 |
| 2.2 实验药品 |
| 2.3 样品表征 |
| 第三章 钙钛矿型GdAlO_3:RE~(3+)(RE= Eu/Er-Yb)和LaAlO_3:Eu~(3+)发光粉的制备与表征 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 溶胶凝胶-燃烧法制备GdAlO_3:RE~(3+)(RE= Eu/Er-Yb)和LaAlO_3:Eu~(3+)发光粉与表征 |
| 3.2.1 GdAlO_3:Eu~(3+)、GdAlO_3:Er~(3+),Yb~(3+)和LaAlO_3:Eu~(3+)发光粉的制备 |
| 3.2.2 GdAlO_3:Eu~(3+)、GdAlO_3:Er~(3+),Yb~(3+)和LaAlO_3:Eu~(3+)发光粉的制备 |
| 3.2.3 GdAlO_3:Eu~(3+)发光粉的形貌 |
| 3.2.4 GdAlO_3:Eu~(3+)、GdAlO_3:Er~(3+),Yb~(3+)和LaAlO_3:Eu~(3+)发光粉的发光性能 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 (Ca_(1-x)Gd_x)TiO_3:Eu~(3+)和CaTiO_3:Er~(3+),Yb~(3+)发光粉的制备与表征 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 溶胶凝胶-燃烧法制备CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉与表征 |
| 4.2.1 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的制备 |
| 4.2.2 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的结构 |
| 4.2.3 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的形貌 |
| 4.2.4 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的发光性能 |
| 4.3 溶胶凝胶-燃烧法制备CaTiO_3:Er~(3+),Yb~(3+)发光粉与表征 |
| 4.3.1 CaTiO_3:Er~(3+),Yb~(3+)发光粉的制备 |
| 4.3.2 CaTiO_3:Er~(3+),Yb~(3+)发光粉的结构 |
| 4.3.3 CaTiO_3:Er~(3+),Yb~(3+)发光粉的形貌 |
| 4.3.4 CaTiO_3:Er~(3+),Yb~(3+)发光粉的发光性能 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的水热法制备与表征 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 水热法制备CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉与表征 |
| 5.2.1 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的制备 |
| 5.2.2 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的结构 |
| 5.2.3 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的形貌 |
| 5.2.4 CaTiO_3:Eu~(3+)发光粉的发光性能 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在校期间研究成果 |
（8）离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 半导体纳米晶的概述 |
| 1.1.1 半导体纳米晶的定义与基本性质 |
| 1.1.2 半导体纳米晶的发展历程 |
| 1.1.3 半导体纳米晶的分类及光学特点 |
| 1.2 I-III-VI族多元半导体纳米晶 |
| 1.2.1 I-III-VI族半导体纳米晶的基本性质 |
| 1.2.2 I-III-VI族纳米晶的制备 |
| 1.2.3 I-III-VI族纳米晶在照明显示领域的应用 |
| 1.3 铅卤钙钛矿纳米晶 |
| 1.3.1 铅卤钙钛矿矿纳米晶的性质 |
| 1.3.2 铅卤钙钛矿矿纳米晶的合成方法 |
| 1.3.3 铅卤钙钛矿矿纳米晶的稳定性改善 |
| 1.3.4 铅卤钙钛矿纳米晶的光电应用 |
| 1.4 离子液体 |
| 1.4.1 离子液体的概述 |
| 1.4.2 离子液体的特性 |
| 1.4.3 离子液体的应用 |
| 1.5 本论文的研究意义及目的 |
| 1.6 本论文的研究内容 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验主要的化学药品及试剂 |
| 2.2 制备方法 |
| 2.2.1 离子液体辅助水热法制备Cu-In-Zn-S纳米晶 |
| 2.2.2 过饱和重结晶法制备CsPbBr_3钙钛矿纳米晶 |
| 2.2.3 CsPbX_3@SiO_2纳米晶的制备 |
| 2.2.4 白光LED器件的组装 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.3.4 傅里叶转换红外光谱仪 |
| 2.3.5 光致发光光谱 |
| 2.3.6 紫外-可见分光光度计 |
| 2.3.7 紫外光电子能谱 |
| 2.3.8 时间分辨荧光光谱 |
| 2.3.9 荧光量子产率 |
| 2.3.10 变温荧光光谱 |
| 2.3.11 电致发光光谱 |
| 3 离子液体辅助水热法制备Cu-In-Zn-S纳米晶及其荧光性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 制备过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 反应温度对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.2 反应时间对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.3 离子液体[Mim]BF_4添加量对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.4 [Mim]BF_4与CIZS纳米晶的作用机理探究 |
| 3.3.5 氟源种类对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.6 金属离子比例对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.7 CIZS/ZnS核/壳结构纳米晶的荧光性能研究 |
| 3.3.8 CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉的荧光性能研究 |
| 3.3.9 CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉在白光LED中的应用研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 离子液体辅助过饱和重结晶法制备CsPbBr_3纳米晶及其荧光性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 制备过程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Pb/Cs比对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.2 离子液体[Bmim]Br添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.3 CsPbBr_3纳米晶的稳定性研究 |
| 4.3.4 离子液体[Bmim]Br对CsPbBr_3纳米晶的表面钝化机理研究 |
| 4.3.5 阳离子浓度对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.6 配体添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.7 阴离子组分对CsPbX_3纳米晶的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 含氟酸根离子液体原位钝化CsPbBr_3纳米晶表面缺陷及其机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 制备过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 [Bmim]BF_4添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.2 [Bmim]BF_4原位钝化CsPbBr_3纳米晶的机理研究 |
| 5.3.3 离子液体的阳离子链长及添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.4 氟源类型对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.5 前驱体与反溶剂体积比对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.6 OA添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.7 OAm添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.8 CsPbBr_3纳米晶的稳定性研究 |
| 5.3.9 CsPbBr_3纳米晶在白光LED中的应用 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 离子液体辅助制备CsPbX_3@SiO_2纳米晶及其荧光性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 制备过程 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 APTES添加量对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.2 反应时间对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.3 APTES引入方式对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.4 APTES与CsPbBr_3@SiO_2纳米晶作用机理研究 |
| 6.3.5 离子液体对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.6 CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的稳定性研究 |
| 6.3.7 CsPbX_3@SiO_2纳米晶的荧光性能研究 |
| 6.3.8 CsPbBr_3@SiO_2纳米晶在白光LED中的应用 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的学术成果 |
（9）核壳型镧系掺杂氟化钠荧光纳米材料的制备及喷墨打印（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 荧光防伪 |
| 1.2.1 荧光防伪机制 |
| 1.2.2 荧光防伪标志构建 |
| 1.2.3 荧光材料 |
| 1.3 镧系掺杂上转换荧光纳米材料 |
| 1.3.1 上转换荧光纳米材料概述 |
| 1.3.2 镧系掺杂上转换纳米材料的制备方法 |
| 1.3.3 镧系掺杂上转换纳米材料的荧光调控 |
| 1.4 核壳型镧系掺杂NaYF_4上转换荧光纳米材料 |
| 1.4.1 核壳结构的构建方法 |
| 1.4.2 核壳结构增强激发光吸收 |
| 1.4.3 核壳结构调制激发波长 |
| 1.4.4 核壳结构增强荧光发射 |
| 1.4.5 核壳结构多模式荧光 |
| 1.5 镧系掺杂氟化钠纳米材料喷墨打印防伪研究进展 |
| 1.6 本文研究目的、意义及内容 |
| 1.6.1 研究目的、意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 第二章 镧系稀土掺杂NaYF_4:Ln~(3+)上转换纳米颗粒的合成及喷墨打印构建荧光防伪图案 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 热分解法合成三原色NaYF_4:Ln~(3+)上转换纳米颗粒 |
| 2.2.2 NaYF_4:Ln~(3+)上转换纳米颗粒的PAA改性 |
| 2.2.3 PVA/NaYF_4:Ln~(3+)上转换荧光复合薄膜的制备 |
| 2.2.4 NaYF_4:Ln~(3+)上转换荧光油墨的制备 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 NaYF_4:Ln~(3+)上转换纳米颗粒的合成及表征 |
| 2.3.2 NaYF_4:Ln~(3+)上转换纳米颗粒的表面改性 |
| 2.3.3 PVA/NaYF_4:Ln~(3+)上转换荧光复合薄膜的制备及表征 |
| 2.3.4 NaYF_4:Ln~(3+)荧光油墨的制备及防伪图案的构建 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 荧光增强NaYF_4:Ln~(3+)@NaYF_4:Yb~(3+)核壳纳米颗粒的合成及喷墨打印 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 NaYF_4:Ln~(3+)@NaYF_4:Yb~(3+)核/活性壳纳米粒子的合成 |
| 3.2.2 水性CASNs油墨的制备 |
| 3.3 结果和讨论 |
| 3.3.1 CASNs-G纳米颗粒的合成及表征 |
| 3.3.2 不同Yb含量活性壳CASNs-G纳米颗粒的合成及性能研究 |
| 3.3.3 三原色CASNs纳米颗粒的合成及表征 |
| 3.3.4 水性CASNs油墨的制备及喷墨打印构建荧光防伪图案 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 哑铃状镧系稀土掺杂NaYF_4:Ln~(3+)@Na GdF_4:Ln’~(3+)核壳纳米颗粒的合成及其双模式荧光防伪 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 RE-oleate油酸稀土配合物前驱体的制备 |
| 4.2.2 NaYF_4:Ln~(3+)UCNPs核的合成 |
| 4.2.3 NaYF_4:Ln~(3+)@Na GdF_4:Ln’~(3+)CSNPs的合成 |
| 4.2.4 CSNPs水性荧光油墨的配制 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.3.1 哑铃状CSNPs的合成及性能研究 |
| 4.3.2 哑铃状CSNPs的生长机制 |
| 4.3.3 哑铃状CSNPs的荧光性质研究及荧光色彩调控 |
| 4.3.4 CSNPs水性荧光油墨的制备及性能优化 |
| 4.3.5 喷墨打印构建双模式荧光防伪图案 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 NaYF_4:Ln~(3+)@可逆光致变色聚合物核壳纳米颗粒的合成及多模式荧光防伪 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 N-甲基丙烯酸羟乙酯螺吡喃(SPMA)单体的合成 |
| 5.2.2 RE-oleate油酸稀土配合物前驱体的制备 |
| 5.2.3 UCNPs-G核的合成 |
| 5.2.4 CSNPs-G的合成 |
| 5.2.5 CSNPs@Si O_2-NH_2纳米颗粒的合成 |
| 5.2.6 CSNPs@Si O_2-CDTPA纳米颗粒的合成 |
| 5.2.7 CSNPs@p(GMA-co-SPMA)核壳纳米颗粒的合成 |
| 5.2.8 CSNPs@p(GMA-co-SPMA)荧光油墨的制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 SPMA单体的合成及结构表征 |
| 5.3.2 CSNPs@p(GMA-co-SPMA)的制备及性能表征 |
| 5.3.3 喷墨打印构建多模式荧光防伪图案 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 实验材料及药品 |
| 附录2 实验设备及表征仪器 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（10）Na和Bi掺杂的无机双钙钛矿光致发光和温度传感特性（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 卤化物双钙钛矿材料 |
| 1.1.1 卤化物双钙钛矿材料简介 |
| 1.1.2 卤化物双钙钛矿材料的光学性质 |
| 1.2 双钙钛矿材料的光学研究进展 |
| 1.3 双钙钛矿材料的温度传感研究进展 |
| 1.4 本论文研究的目的与主要内容 |
| 1.4.1 本论文研究的目的 |
| 1.4.2 本论文研究的主要内容 |
| 第2章 样品制备与结构/光学表征方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.1.1 原料与试剂 |
| 2.1.2 溶剂热法制备掺杂型双钙钛矿 |
| 2.2 结构表征方法 |
| 2.2.1 X-射线粉末衍射技术 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜和X射线能量色散谱仪 |
| 2.3 光学表征方法 |
| 2.3.1 吸收光谱 |
| 2.3.2 稳态光致发光 |
| 2.3.3 时间分辨光谱 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 Na和 Bi掺杂的Cs_2AgInCl_6光致发光特性 |
| 3.1 样品表征 |
| 3.2 样品的变温光致发光特性 |
| 3.3 时间分辨光谱 |
| 3.4 LED器件的热稳定性 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Yb和 Bi掺杂的Cs_2Ag_(0.6)Na_(0.4)InCl_6光致发光和温度传感特性 |
| 4.1 样品表征 |
| 4.1.1 样品的形貌和结构表征 |
| 4.1.2 样品的组分与光学表征 |
| 4.2 样品的变温光致发光和温度传感特性 |
| 4.3 时间分辨光谱 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Er和 Bi掺杂的Cs_2Ag_(0.6)Na_(0.4)InCl_6光致发光和温度传感特性 |
| 5.1 样品表征 |
| 5.1.1 样品的形貌和结构表征 |
| 5.1.2 样品的组分与光学表征 |
| 5.2 样品的变温光致发光和温度传感特性 |
| 5.3 样品的时间分辨光谱 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表论文 |
| 攻读学位期间主持科研项目 |
| 攻读学位期间获得奖项 |
四、光学、显示与发光材料（论文参考文献）
- [1]聚集诱导发光[J]. 韩鹏博,徐赫,安众福,蔡哲毅,蔡政旭,巢晖,陈彪,陈明,陈禹,池振国,代淑婷,丁丹,董宇平,高志远,管伟江,何自开,胡晶晶,胡蓉,胡毅雄,黄秋忆,康苗苗,李丹霞,李济森,李树珍,李文朗,李振,林新霖,刘骅莹,刘佩颖,娄筱叮,吕超,马东阁,欧翰林,欧阳娟,彭谦,钱骏,秦安军,屈佳敏,石建兵,帅志刚,孙立和,田锐,田文晶,佟斌,汪辉亮,王东,王鹤,王涛,王晓,王誉澄,吴水珠,夏帆,谢育俊,熊凯,徐斌,闫东鹏,杨海波,杨清正,杨志涌,袁丽珍,袁望章,臧双全,曾钫,曾嘉杰,曾卓,张国庆,张晓燕,张学鹏,张艺,张宇凡,张志军,赵娟,赵征,赵子豪,赵祖金,唐本忠. 化学进展, 2022
- [2]多元铜基硫族半导体纳米晶的可控制备及光电性能研究[D]. 管中源. 北京交通大学, 2021
- [3]面向光学信息存储应用的深陷阱长余辉发光材料[J]. 庄逸熙,陈敦榕,解荣军. 激光与光电子学进展, 2021(15)
- [4]光-热-力刺激下可输出光-电双重信号的柔性传感器和NaCa2GeO4F：Mn2+材料的应力发光性能研究[D]. 李雷. 青岛大学, 2021
- [5]低维镉系半导体纳米材料的结构调控及光学特性研究[D]. 余佳豪. 哈尔滨工业大学, 2021(02)
- [6]锗酸盐多重光响应长余辉材料的制备、响应机理及应用研究[D]. 史晨. 江南大学, 2021(01)
- [7]稀土掺杂钙钛矿型ABO3发光粉的合成与发光性能[D]. 依文. 沈阳化工大学, 2021(02)
- [8]离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究[D]. 徐彦乔. 景德镇陶瓷大学, 2021(11)
- [9]核壳型镧系掺杂氟化钠荧光纳米材料的制备及喷墨打印[D]. 龚果. 湖南工业大学, 2021(01)
- [10]Na和Bi掺杂的无机双钙钛矿光致发光和温度传感特性[D]. 杨森. 黑龙江大学, 2021(09)